2017年上海交通大学874半导体物理与基础考研专业课真题（回忆版）

  2017年考研已经结束，聚英考研信息网第一时间为大家收集整理了各大高校考研真题，以下是2017年上海交通大学874半导体物理与基础考研专业课真题（回忆版），决定2018考研的学子们可以感受下，由于是网友们的回忆版，可能有些出入，欢迎各位学子纠正补充。

  相关阅读推荐：

  【汇总】2017年各高校新传考研真题（回忆版）

  【汇总】2017年硕士研究生入学考研真题及答案解析

  全国各院校2017年考研专业课真题（回忆版）汇总

 

  1.已知两块半导体电子浓度之比为e，第一块的费米能级在导带下3kt，问第二块的费米能级位置和两块的空穴浓度之比

  2.求锗中电子的平均自由时间和自由程

  3.光生载流子稳定注入情况下的载流子的浓度表达式

  4.什么是异质结，表面电导，半导体发光

  5.pn结的最大电场强度，电容和电流

  6.三极管能带图，最大内建电场

  7.求阈值电压和漏极电流