中科大合肥微尺度物质实验室导师介绍：闫文盛

 

姓名：	闫文盛
职称：
电话：	0551--3602131
传真：	0551--5141078
邮箱：	ywsh2000@ustc.edu.cn
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　　个人详细信息
　　一、个人学习、工作及研究经历
　　1971年9月出生，大连人。1992年考入辽宁大学物理系，1999年获得硕士学位。2003 年2月在中国科学技术大学物理系获得理学博士学位。在博士期间参加了国家同步辐射实验室XAFS 的安装与调试工作；作为主要成员参加了国家自然科学基金“同步辐射研究表面熔化机理”和中科院创新“原位同步辐射技术研究半导体固-液相变的微观机理”两个研究项目；获得安徽省第一届核学会优秀论文奖。
　　2003年3月在中国科学技术大学的核技术及其应用专业做博士后，在站期间参加了国家同步辐射实验室XMCD站的安装与调试工作；负责完成了“同步辐射研究III-V非磁性量子半导体的超磁阻效应” （中科院王宽诚奖励基金）、“半导体低维量子结构材料的同步辐射研究”（博士后资助金）和“低维半导体量子体系的同步辐射研究”（北京同步辐射实验室的重点课题）的三个研究项目；获得了安徽省第二届核学会的研究论文二等奖。
　　现今，申请人是XMCD线站负责人。自2007年以来负责承担了4项国家自然科学基金委的项目；获得第四届全国同步辐射学术会议“青年之光”优秀论文二等奖；指导的硕士研究生的毕业论文获得2009年安徽省优秀硕士研究论文；2010年入选新世纪优秀人才支持计划。

　　二、主要研究方向
　　先进功能材料的结构和性能及其相互关系，复杂金属氧化物的界面和表面的几何和电子结构；功能材料的生长、相变等动态过程的原位动力学研究。

　　三、代表性科研成果
　　Mn掺杂的ZnO稀磁半导体：通过XAFS实验和第一性原理计算，提出Zn空位是诱导其具有室温铁磁性的根本原因以及N原子能够诱导最近邻Mn原子的磁相互作用，从反铁磁性转变为铁磁性的观点。相应的研究工作发表在 Appl．Phys．Lett （2篇）。工作发表后，得到了该领域的权威人士华盛顿大学Gamelin教授的来信祝贺。
　　Co掺杂的ZnO稀磁半导体：在明确了晶格完美的Co掺杂ZnO具有顺磁性基础上，通过引入O空位和Ag离子来调控其电子和能带结构，在其纳米线、纳米棒以及纳米杂化结构中实现了室温铁磁性。相关的研究工作发表在 Appl．Phys．Lett （1篇）、J．Phys．Chem．C（2篇） 、J．Appl．Phys（3篇）和Phys．Rev．B（2篇）。
　　Co掺杂TiO2稀磁半导体：明确了在退火过程中形成的氧空位（Vo）与替代了Ti原子的CoTi形成了CoTi- Vo复杂体，提出了氧空位在间隙间引入的能级是导致其有室温铁磁性的根本原因以及掺杂Co原子的自旋状态。相关的研究工作发表在 Appl．Phys．Lett（2篇）和J．Appl．Phys（1篇）